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[功能建议] 请求支持 FDB_WRITE_GRAN 配置为 128 (最小16字节颗粒度)，适配 STM32H5 等新平台 #397
Description
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你好，现在应该是支持 128 bit 写粒度的，可以在 fdb_cfg.h 进行配置，请问你是遇到了什么问题呢？
确实是 TSDB 还不支持 64 128 bit 写粒度，你可以试着加一下？参考 KVDB
好的，我先试着加一下。感谢您的支持，
@armink 您好，
感谢您的指导和信任！参考您提到的 KVDB 实现逻辑，我已经完成了 TSDB 模块对 FDB_WRITE_GRAN 128 (16字节) 粒度的适配开发。
相关代码已提交至 MR [https://github.com//pull/398]主要改动包括：
更新了写入对齐检查逻辑，以支持 16 字节粒度；
确保了在 STM32H5 等强对齐要求平台上的兼容性。麻烦您在方便时帮忙 Review 一下。如果代码没有问题，不知近期是否方便合入主干并发布一个新版本？这样我们项目就能尽快用上这个特性，也能让更多受限于 Flash 硬件特性的用户受益。
再次感谢 FlashDB 带来的便利！已经合入啦，感谢你的 PR 贡献哈~~
Reacted by Oliver0927iHi @Oliver0927i ，我尝试给 FlashDB 增加了各种写粒度的自动化测试用例（详见 #399 ）。但在自动化测试的过程中发现，当写粒度等于：
- 64bit
- 128bit
时，自动化测试会失败。我在模拟器上手动跑了一下有如下一些错误
错误1，
test_tsdb_data_by_time用例失败：
错误2，
test_fdb_tsl_iter_by_time_1用例失败：
错误3，错误2导致了系统宕机，可能哪里有非法内存访问的情况
你看方便查找下具体的问题原因嘛？最好在模拟器上开启类似 KASAN 等内存检测工具，提前侦测到非法访问的调用栈
@armink 好的，我看下
另外，这里的宏定义要完善下，用
SECTOR_HDR_PADDING_SIZE会更准确
hello @armink
关于当写粒度等于：64bit 和 128bit时，自动化测试会失败的问题。经过初步分析，找到了两个原因：- test_fdb_tsl_iter_by_time_1 case 在append数据的时候，应该保持 TEST_TIME_STEP 整除的时间戳数量，但实际数据库中并不一定有这些时间戳对应的数据节点。当颗粒度为64或者128时，数据库会被覆盖。我适当的减少append次数，case测试通过
2. 当设置颗粒度为128时，我屏蔽掉KVDB里面的这几个 test casse，测试通过
麻烦您看一下，感谢您的时间。我会继续增加更多的测试，希望能早日发版本~
- 1、即便数据库覆盖了，那是不是也不应该导致异常，TSDB 是支持覆盖模式的
- 2、我看了下 KVDB 的测试结果，确实只有写粒度为 128 才异常，这个你要仔细看下呢
确实这样用不行，枚举常量（如 LOG_IDX_PADDING_SIZE）不能用于结构体成员数组长度的条件编译（#if LOG_IDX_PADDING_SIZE > 0），因为 LOG_IDX_PADDING_SIZE 的值依赖于 sizeof，而 sizeof 只能在编译阶段求值，不能在预处理阶段用。
现在的问题是：当结构体正好满足最小颗粒长度时，导致padding数组的大小为0，这样会导致在某些编译器下报错。
解决办法：我想到的办法是当padding数组的大小为0时，再加一个最小颗粒度长度，但是这样会导致占用空间太大。
想问下您有什么更好的办法吗？
LOG_IDX_PADDING_SIZE 为啥要用枚举，直接用宏定义可以吗？
LOG_IDX_PADDING_SIZE 的值依赖于 sizeof，而 sizeof 只能在编译阶段求值，不能在预处理阶段用。最后结果就是结构体里没有定义padding数组
这样试试呢？
Reacted by Oliver0927i@armink 这样可以了
后来想了下，当这个结构体成员发生变化时，anyway LOG_IDX_PADDING_SIZE宏定义都需要修改，用sizeof计算和用立即数效果一样~
点赞，那你再提交一个 PR 吧。
另外，上面提到的这一点也一起完善下吧。
另外，这里的宏定义要完善下，用
SECTOR_HDR_PADDING_SIZE会更准确
OK，已经合并啦
新版本 v2.2.0 也已经发布 https://github.com/armink/FlashDB/releases/tag/2.2.0
@armink 您好，
首先非常感谢您开发并维护 FlashDB 这个优秀的开源项目！它在我们的多个嵌入式项目中提供了稳定可靠的存储方案，帮我们节省了大量开发时间。
此次提 Issue 是想咨询一下，TSDB 模块未来是否有计划支持 FDB_WRITE_GRAN 配置为 128 (即 16 字节写入粒度)？
背景说明：
我们目前的项目正在迁移到 STM32H563ZI 平台。由于该系列 MCU 的 Flash 控制器 ECC 校验机制以及我们使用的底层驱动优化策略（为了减少固件体积和简化逻辑），底层驱动强制要求 Flash 的写入地址和长度必须严格 16 字节对齐。如果传入非 16 字节倍数的长度，驱动会直接报错。
当前问题：
目前 FlashDB 的 TSDB 配置中，FDB_WRITE_GRAN 最大似乎仅支持到 64 (8 字节)。当我们尝试将其配置为 128 以适配硬件约束时，发现现有逻辑可能无法兼容或不被支持。
诉求与建议：
想请教您：
后续版本是否有计划将 FDB_WRITE_GRAN 的支持范围扩展到 128？
我们非常希望能继续在该项目上使用 TSDB 功能，如果能得到您的指导或支持，我们将不胜感激。
期待您的回复，祝好！