23.09 - Física Electrónica - Trabajo Pŕactico

Trabajo práctico de simulación de dispositivos basados en semiconductores a través de LTSpice, realizdo con el objetivo de constrastar con resultados teóricos y datasheets de fabricantes.

Dispositivos ensayados

• Diodo, 1N4148
• NPN BJT, BC547
• N-Channel JFET: MPF102
• N-Channel Enhancement MOSFET: NDS7002
• N-Channel Depletion MOSFET: LND250

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Integrantes:

• ALVAREZ, Matías Ezequiel
• HEIR, Alejandro Nahuel

23.09 - Física Electrónica ~ Ingeniería Electrónica ~ Instituto Tecnológico Buenos Aires ~ 2022